集合式高真空磁控溅射沉积系统

A****点击查看0300电子工业生产设备

实现高性能隧穿磁阻膜层的快速沉积，采购数量为1台，采购设备需具备的能力参数如下： 1. 集成快速进样系统、preclean 模组、高真空磁控溅射沉积子系统、真空传送模组、退火系统、控制系统； 2. 集成快速进样系统极限真空满足 8×10 Torr，集成快速进样系统配备晶圆盒装载口，全自动传输 25 片 wafer，可适用 8 寸晶圆； 3.preclean 模组极限真空：至少满足 5×10Torr，支持离子束清洗；配备 1 个 0.6kW, 13.56MHz 射频电源，1 个用于射频溅射电源的自动调谐匹配器； 4. 1 个 12 靶的 RSM PVD 腔体；极限真空至少满足 5×10Torr (烘烤后)；调压阀，连接分子泵与腔体，阀门与控制系统和电容薄膜规组成闭环控制系统，可实现腔体内沉积气压的全自动控制；工艺室可以容纳多达 12 个直径 100mm 的圆形阴极；4 个 DC/DC 脉冲电源，单个输出 1.5kW，2 个射频电源，600W，13.56MHz，电源配置可同时在最多四个阴极上进行共溅射；沉积过程中工艺台可施加磁场，强度可在 0–600Oe 可调；膜层均匀性 1σ≤1.2%； 5. 真空传送模组配置≥3 接口真空传送模；包含机械手、角度对其机械装置，对齐精度优于 0.5°；极限真空至少满足 8×10Torr；全自动真空系统和开腔系统； 6. 退火腔体退火温度最高 450 度；极限真空至少满足 8×10Torr； 7. 集成于主电源柜的人机界面；包含 preclean、溅射沉积、退火等系统的全自动控制；真空系统的全自动控制；传送系统的全自动控制；气路系统的全自动控制